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onsemi NXH50M65L4Q1SG
| Artikelnummer: | NXH50M65L4Q1SG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | Q1PACK 50A 650V |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 21+ | $72.2281 |
| 42+ | $70.3276 |
| 84+ | $65.1005 |
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- Verpackung
-
onsemi NXH50M65L4Q1SG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NXH50M65L4Q1SG.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.22V @ 15V, 50A Supplier Device-Gehäuse 56-PIM (93x47) Serie - Leistung - max 86 W Verpackung / Gehäuse Module Paket Tray Betriebstemperatur 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften NTC-Thermistor Yes Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 3.137 nF @ 20 V Eingang Standard IGBT-Typ Trench Field Stop Strom - Collector Cutoff (Max) 300 µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 48 A Konfiguration Full Bridge -
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